韩国LG Siltron利用FEMAG/CZ软件分析了直径为206mm单晶硅磁场Cz法生长的过程，研究了晶体-熔体界面形状及其对缺陷行为的影响规律。他们将不同的坩埚放置在某固定加热器上以及多个加热器上，获得各种不同的加热条件，从而得到了各种不同形状的固-液界面，以达到改变熔体对流的目的。研究表明，随着自然对流以及临界提拉速率的增大，晶体-熔体界面变凹（凸向晶体）趋势更明显。下图为不同M/L下的晶体-熔体界面形状变化。当M/L增大时，固-液界面将更凸向晶体。

    下图a、b、c分别为M/L=124mm、154mm、174mm情况下熔炉内的流函数以及等温线云图。可以看出，当M/L减小时，对流更为强烈。

    韩国LG Siltron公司是生产半导体及太阳能电池用底板厂商，也是量产6英寸口径蓝宝石底板的著名厂商。该公司晶体生长技术研究组（Crystal Growth Technology Team）技术实力雄厚，在硅晶体Cz法生长领域有不俗的研究成果。