法国InPACT S.A的研究人员利用FEMAG/CZ软件模拟分析了InP晶体的液封提拉法生长（liquid-encapsulated Czochralski，LEC）过程以及研究降低InP位错密度的途径。他们在传统LEC生长单晶工艺中，通过加入热屏，改变生长炉结构以降低晶体生长中的热梯度。这些热屏的形状通过FEMAG/CZ的传热与热应力的全局数值模拟优化得到。通过优化，热应力减少了50%，位错密度显著降低（在2英寸夹杂铁晶体的上部，从50,000/cm降为30,000/cm）。他们也发现，减小熔体中的热梯度（从12K/cm降为6K/cm）将导致界面的脱稳（对于夹杂锡晶体，该效应将更为显著）。

左侧为气体流动速度场；右侧为热场              改进前后晶体中von Mises应力比较（右侧为改进后）

    FEMAG/CZ是FEMAG专门用于模拟Cz法晶体生长工艺的软件。该软件可对整个提拉生长过程，包括引晶、缩颈、转肩、等径生长、收尾等各个生长阶段所涉及的物理问题进行模拟分析。FEMAG/CZ广泛用于半导体单晶硅、太阳能光伏单晶硅、单晶锗、InP等晶体生长过程的虚拟预测与优化。

    FEMAG/CZ软件具有丰富的专业分析功能，包括炉体全局热场分析、固-液界面形状与位置计算、固-液界面温度梯度计算、晶体生长动态分析、熔体/气体对流计算、辐射传热计算、加热功率预测、氧/碳含量预测、各向异性热应力计算、点缺陷浓度分析、连续提拉生长模拟以及考虑磁场的三维多场耦合计算等。