韩国技术教育大学（Korea University of Technology and Education）引进比利时鲁汶大学开发的FEMAG/CZ软件进行单晶硅材料生长的虚拟预测以及生长熔炉及其组件的优化设计。近期该校研究人员通过改变保温层的位置、厚度以及比较有无辐射热屏，利用该软件模拟分析了单晶硅Cz生长炉内的保温层对功率消耗以及晶体、熔体中的含氧量的影响。研究结果表明，对于多保温层，顶部保温层比侧边以及底部保温层对功率消耗以及单晶硅熔体温度的影响更大。熔体内的含氧量随着顶部以及侧边保温层的厚度增加而减少。当在三个不同位置同时安装保温层时，晶体、熔体内的含氧量以及功率消耗比单独安装保温层时要少，保温效果更明显，晶体提拉生长的质量更高。

    FEMAG/CZ是FEMAG专门用于模拟Cz法晶体生长工艺的软件。该软件可对整个提拉生长过程，包括引晶、缩颈、转肩、等径生长、收尾等各个生长阶段所涉及的物理问题进行模拟分析。FEMAG/CZ广泛用于半导体/太阳能光伏单晶硅、单晶锗以及小尺寸蓝宝石等晶体生长的预测与优化。

    FEMAG/CZ具有丰富的分析功能，包括炉体全局热场分析、固-液界面形状与位置计算、固-液界面温度梯度计算、晶体生长动态分析、熔体/气体对流计算、辐射传热计算、加热功率预测、氧/碳含量预测、各向异性热应力计算、点缺陷浓度分析、连续提拉生长模拟以及考虑磁场的三维多场耦合计算等。

    值得一提的是，所有的FEMAG软件产品都具有优化晶体生长熔炉结构的分析功能，能方便、精细地对生长熔炉及其组件的结构进行虚拟设计与优化（包括加热器布局设计与优化、保温层结构布局设计、辅助加热器/多加热器功率布局设计、热屏与反射体形状/材质及布局设计与优化等）。这能够有效地改善晶体生长环境，提高用户的研发效率以及缩短研发周期与成本。