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韩国汉阳大学等机构借助FEMAG软件模拟研究单晶硅的空位缺陷行为
原文作者:CnTech 发布时间: 2017-05-29 14:08:32 新闻来源: CnTech
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  韩国汉阳大学与LG Siltron等机构的科研人员利用FEMAG/CZ软件模拟研究了单晶硅提拉生长中出现的空位缺陷行为,计算了单晶硅中的空位浓度分布,并用Kinetic Monte Carlo(KMC)算法获得空位群分布。研究结果表明,当温度超过1470K时,由于空位群尚未形成,扩散率几乎为常数。在(1370~1270K)温度区间内,温度较高时空位群较大,而温度较低时空位群较小。空位浓度会导致空位群数目的增加,但空位群的平均尺寸与空位浓度无关。空位群与温度、空位浓度密切相关,且空位群的总数目与晶体提拉速率成线性比例关系。

  FEMAG/CZ是专门用于模拟晶体提拉法生长工艺的软件,广泛用于单晶Si、单晶Ge、InP等晶体生长过程及其生长质量的数值预测与优化。该软件可对整个提拉生长过程,包括引晶、缩颈、转肩、等径生长、收尾等各个生长阶段所可能涉及的传热、流体流动、缺陷问题进行模拟分析与优化。

  FEMAG/CZ软件具有丰富的分析功能,包括炉体全局热场分析、固-液界面形状与位置计算、缺陷分析与控制、热应力计算、晶体生长动态分析、熔体/气体热对流计算、辐射传热计算、加热功率预测、氧/碳含量预测、连续提拉生长模拟以及考虑磁场的三维多场耦合计算等。